VIDEO จีน 2.7 V ความกระชับกระแสไฟฟ้า - Min วงจรบูรณาการสําหรับผลงานที่น่าเชื่อถือ

2.7 V ความกระชับกระแสไฟฟ้า - Min วงจรบูรณาการสําหรับผลงานที่น่าเชื่อถือ

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
VIDEO จีน รีลบรรจุสําหรับวงจรบูรณาการ ด้วยการเก็บข้อมูล 20 ปี

รีลบรรจุสําหรับวงจรบูรณาการ ด้วยการเก็บข้อมูล 20 ปี

Write Cycle Time - Page: 50µs
Product Type: Flash Memory IC
Packaging: Reel
VIDEO จีน รีล แพ็คเกจวงจรบูรณาการกับ SOIC-8 แพ็คเกจ/กรอบที่แข่งขัน

รีล แพ็คเกจวงจรบูรณาการกับ SOIC-8 แพ็คเกจ/กรอบที่แข่งขัน

Memory Capacity: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Product Type: Flash Memory IC
VIDEO จีน รีล แพคเกจวงจรบูรณาการที่มีประเภทความทรงจํา NOR Flash

รีล แพคเกจวงจรบูรณาการที่มีประเภทความทรงจํา NOR Flash

Memory Organization: 512K X 8
Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
VIDEO จีน โวลเตชั่น - การจําหน่าย 2.7 V - 3.6 V วงจรบูรณาการที่มีการเก็บข้อมูลขยาย

โวลเตชั่น - การจําหน่าย 2.7 V - 3.6 V วงจรบูรณาการที่มีการเก็บข้อมูลขยาย

Package / Case: SOIC-8
Memory Type: NOR Flash
Mounting Type: Surface Mount
จีน รีล แพคเกจชิปวงจรบูรณาการ ด้วยการเก็บข้อมูล 20 ปี

รีล แพคเกจชิปวงจรบูรณาการ ด้วยการเก็บข้อมูล 20 ปี

เขียนเวลาวงจร - หน้า: 50µs
เขียนรอบเวลา - Word: 50µs
ความจุของหน่วยความจำ: 4Mbit
จีน 4Mbit แฟลชเมมรี่ IC 3.6V ความแรงกดไฟฟ้า Max

4Mbit แฟลชเมมรี่ IC 3.6V ความแรงกดไฟฟ้า Max

บรรจุภัณฑ์: รอก
เขียนเวลาวงจร - หน้า: 50µs
ประเภทหน่วยความจำ: แฟลช NOR
จีน SOIC-8 512K X 8 50ns วงจรบูรณาการ

SOIC-8 512K X 8 50ns วงจรบูรณาการ

ความเร็ว: 50ns
เขียนรอบเวลา - Word: 50µs
การเก็บรักษาข้อมูล: 20 ปี
จีน 2.7V Packaging รีลวงจรบูรณาการ

2.7V Packaging รีลวงจรบูรณาการ

ประเภทหน่วยความจำ: แฟลช NOR
แรงดันไฟเลี้ยง - สูงสุด: 3.6 โวลต์
ประเภทสินค้า: IC หน่วยความจำแฟลช
จีน รีล แพ็คเกจวงจรบูรณาการมีพร้อมกับองค์กรความจํา 512K X 8

รีล แพ็คเกจวงจรบูรณาการมีพร้อมกับองค์กรความจํา 512K X 8

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
1 2 3 4 5