ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Shen
หมายเลขโทรศัพท์ : +0086 15112667855
วอทส์แอพ : +8615112667855

องค์กรความทรงจําที่ประสิทธิภาพดี 512K X 8 วงจรบูรณาการที่มีเวลาการเขียน 50μs

  • Efficient Memory Organization 512K X 8 Integrated Circuit with Write Cycle Time 50µs
Place of Origin USA
ชื่อแบรนด์ ISSI
ได้รับการรับรอง ROHS
Model Number IS43TR16128DL-125KBL
Minimum Order Quantity 1
ราคา 1
Packaging Details Tape & Reel (TR)
Delivery Time 1-2 WEEKS
Payment Terms T/T
Supply Ability 10000pcs/day

ติดต่อฉันสำหรับตัวอย่างฟรีและคูปอง

วอทส์แอพ:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
Operating Temperature -40°C ~ 85°C Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging Reel Memory Type NOR Flash
Memory Organization 512K X 8 Mounting Type Surface Mount
Supply Voltage - Max 3.6 V Data Retention 20 Years
ฝากข้อความ
รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า:

แฟลชเมมรี่ IC เป็นชิปวงจรบูรณาการ ที่ถูกออกแบบมาเพื่อเก็บข้อมูลจํานวนมากในระยะเวลายาวมันคือชิปความจําที่ไม่ลุกล้า ซึ่งหมายความว่าข้อมูลที่เก็บไว้บนมัน จะไม่ได้ถูกลบ แม้แต่เมื่อพลังงานถูกปิด. แฟลช แมมมรี่ IC สามารถเก็บข้อมูลได้นานถึง 20 ปี ด้วยความสามารถในการเก็บข้อมูลที่ก้าวหน้าของมัน มันทํางานในความเร็ว 50 ns และมีเวลาการเขียนรอบหน้า 50μsชิปนี้ต้องการความกระชับกําลังไฟฟ้า 2.7V ถึง 3.6V และมีแรงสูงสุด 3.6V ความยืดหยุ่นและความทนทานทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย


ลักษณะ:

  • ชื่อสินค้า: แฟลช แมมมรี่ IC (ชิปวงจรบูรณาการ)
  • การเขียนระยะเวลา - หน้า: 50μs
  • บรรจุ: รีล
  • แพ็คเกจ / กรณี: SOIC-8
  • ประเภทความทรงจํา: NOR Flash
  • ความจุความจํา: 4Mbit

ปริมาตรเทคนิค:

คุณสมบัติ มูลค่า
ความเร็ว 50 น
เขียนเวลาวงจร - หน้า 50μs
ประเภทสินค้า แฟลชเมมรี่ IC
ประเภทความจํา NOR แฟลช
ความดันไฟฟ้า - แม็กซ์ 3.6V
การจัดตั้งความทรงจํา 512K X 8
การบรรจุ รีล
ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
ความจดจํา 4Mbit
โลเตจ - การให้บริการ 2.7V ~ 3.6V

การใช้งาน:

ISSI's IS43TR16128DL-125KBL Flash Memory IC เป็นชิปจําวงจรบูรณาการที่ออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่หลากหลาย มีจํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ํา 1 และเวลาจัดส่ง 1-2 สัปดาห์มันได้รับการรับรองโดย ROHS และถูกบรรจุในกระเป๋าเทป & รีล (TR) หรือ SOIC-8. ระยะความดันไฟฟ้าจาก 2.7 V ถึง 3.6 V และความเร็ว 50 ns IS43TR16128DL-125KBL ยังมีระยะเวลาในการเก็บข้อมูล 20 ปีราคาชิปละ 1 ชิป และความสามารถในการจําหน่ายคือ 10000 ชิป/วัน.

IS43TR16128DL-125KBL Flash Memory IC เหมาะสําหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง ความน่าเชื่อถือสูง และการบริโภคพลังงานต่ํา,การใช้งานในอุตสาหกรรมรถยนต์, การแพทย์และการทหาร. มันยังเหมาะสําหรับการใช้งานในระบบจําลอง, เครือข่าย, การเก็บข้อมูลและระบบสื่อสารลักษณะของมันทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานในหลากหลายการใช้งาน.


การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่งสินค้า Flash Memory IC ได้ถูกออกแบบมาเพื่อรับรองการจัดส่งสินค้าอย่างปลอดภัย และปลอดภัย โดยการจัดส่งนั้นถูกออกแบบมาเพื่อลดความเสียหายทางกายภาพให้น้อยที่สุดระหว่างการขนส่งผลิตภัณฑ์ IC แฟลชเมมรี่ถูกส่งไปในกระเป๋า antistatic หรือกระเป๋าเปลือกลงในกล่องทอทอทอท โดยใส่ฟองหรือวัสดุผ่อนคลายอื่น ๆ ในที่สุดกล่องถูกปิดด้วยเทปเพื่อป้องกันเนื้อหาจากความชื้นหรือฝุ่น


FAQ:

  • คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ IC แฟลชเมมรี่คืออะไร?
    ตอบ: ชื่อแบรนด์ของ IC แฟลชเมมรี่คือ ISSI
  • คําถาม: เลขรุ่นของ IC แฟลชเมมรี่คืออะไร?
    A: เลขรุ่นของ IC แฟลชเมมรี่คือ IS43TR16128DL-125KBL
  • ถาม: แฟลชเมมรี่ IC ทําจากอะไร?
    ตอบ: แฟลชเมมรี่ IC ผลิตในสหรัฐอเมริกา
  • Q: มีการรับรองอะไรบ้างที่ Flash Memory IC?
    A: แฟลชเมมรี่ IC มีการรับรอง RoHS
  • Q: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ําเท่าไรสําหรับ Flash Memory IC?
    A: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ําสําหรับ IC ความจํา Flash คือ 1

แท็ก:

LTM2889IY-3#PBF ตัวรับส่งสัญญาณแยก

ชิปยานยนต์ 6-TDFN

ตัวรับส่งสัญญาณแยก 32-BGA RoHS