เทคโนโลยี GaN ของ TI และ MCU แบบเรียลไทม์ขับเคลื่อนการออกแบบพาวเวอร์ซัพพลายเซิร์ฟเวอร์ใหม่ของ LITEON Technology

การนำ GaN และตัวควบคุมดิจิทัลมาใช้ในการออกแบบใหม่ช่วยให้วิศวกรปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงาน ประสิทธิภาพการแปลง การตอบสนองแบบไดนามิก และความน่าเชื่อถือ

ยูนิตจ่ายไฟสำหรับเซิร์ฟเวอร์ประสิทธิภาพสูง (PSU) ล่าสุดใช้ประโยชน์จาก LMG3522R030 GaN FET ของ TI และ MCU แบบเรียลไทม์ TMS320F28003x C2000 ทำให้ PSU ที่เพิ่งเปิดตัวเชิงพาณิชย์มีความหนาแน่นของพลังงานมากกว่า 95 วัตต์/นิ้ว³ และตรงตามมาตรฐาน 80 Plus Titanium

ด้วยการจับคู่พลังของผลิตภัณฑ์ TI GaN และ MCU แบบเรียลไทม์ C2000TM นักออกแบบสามารถตอบสนองความต้องการระบบที่มีขนาดเล็กลงและเชื่อถือได้มากขึ้น

ทำให้สามารถออกแบบแหล่งจ่ายไฟได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์โทรคมนาคม และการใช้งานทางอุตสาหกรรมจำนวนมากกำลังต้องการพาวเวอร์ซัพพลายขนาดใหญ่ขึ้น ขณะเดียวกันก็ต้องการขนาดระบบ น้ำหนัก ผลกระทบต่อสิ่งแวดล้อม และต้นทุนที่ลดลงด้วยสิ่งนี้ท้าทายวิศวกรในการหาวิธีใหม่ๆ ในการเข้าถึงระดับพลังงานที่สูงขึ้น ในรูปแบบเดียวกันหรือเล็กลง ในขณะเดียวกันก็เพิ่มประสิทธิภาพการระบายความร้อนด้วยเพื่อรับมือกับความท้าทายด้านความหนาแน่นพลังงานและข้อกำหนดสำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟในอนาคต LITEON ใช้ประโยชน์จาก MCU แบบเรียลไทม์ของ TI GaN และ C2000 เพื่อให้ได้การออกแบบการ์ดลูกที่ยืดหยุ่นการออกแบบยังช่วยวิศวกรลดวงจรการออกแบบโครงการโดยช่วยให้พวกเขาปรับขนาดการออกแบบตามความต้องการของแหล่งจ่ายไฟที่แตกต่างกัน